Phase Control Thyristor (vrij zwevend type)

Beschrijving:

Met de ontwikkeling van een toenemend vermogen en capaciteit van convertorapparatuur, met name HVDC-transmissie, wordt gevraagd om het uitgangsvermogen van de thyristor van de unit dienovereenkomstig te verhogen, waardoor de installatiehoeveelheid van de thyristor in serie en parallel verbindingscircuit wordt verminderd.De grootte en het gewicht van het apparaat zullen worden verminderd, lagere investeringen, zelfs stroom en zelfs spanning zullen gemakkelijk worden gerealiseerd, de betrouwbare werking en commerciële waarde zullen aanzienlijk worden verhoogd.

De vrij zwevende siliciumtechnologie die wordt gebruikt om een ​​krachtige thyristor met hoge stroomsterkte te vervaardigen, zal voldoen aan de hoge standaardtoepassingsvereisten.En in juli 2019 had RUNAU Electronics met succes een 5200V-thyristor met 5-inch chip ontwikkeld en geleverd aan de klant die van toepassing was in het Chinese HVDC-project.

Invoering:

1. Chips

De hoogwaardige thyristorchip vervaardigd door RUNAU Electronics is voorzien van vrij zwevende technologie.Het is algemeen erkend als de nieuwste en volwassen technologie voor het vervaardigen van de krachtige hoogspanningsthyristor.Het wordt op grote schaal toegepast door de meeste fabrikanten van wereldklasse.

Het diffusieproces is geoptimaliseerd in dichtheid en breedte om de spanningsweerstand te verhogen, de spanningsval in de toestand te verminderen en de trigger- en dynamische kenmerken te verbeteren.Er is een nieuw fotolithografiepatroon ontworpen om de di/dt- en dv/dt-functie te verbeteren.De contactstructuur van de chip is opnieuw geconstrueerd om de rand van de siliciumwafel en het kathodeoppervlak te beschermen, de sperspanningsprestaties zullen aanzienlijk worden verbeterd.

2. Inkapseling

Het voordeel van vrij zwevende siliciumtechnologie is dat de vervorming tussen silicium en molybdeenwafer sterk wordt beperkt en het verbruik van molybdeenwafels wordt verminderd.Hoewel de vlakheid van de siliciumwafer en het koperen blok van de verpakking zeer vereist zijn, zijn de vereisten voor parallelliteit en ruwheid hoger dan bij legeringschiptechnologie.Door voortdurend te verbeteren en te innoveren, had RUNAU Electronic alle technische moeilijkheden en barrières overwonnen.De vrij zwevende technologie, krachtige hoogspanningsthyristor met betrouwbare prestaties en commercieel efficiënte oplossing is ontwikkeld en aan klanten geleverd.De meeste zijn geïnstalleerd in de regelbare gelijkrichter met hoog vermogen, de hoogspannings-softstarter, de HVDC-krachtoverbrenging, de locomotieftractie, de dynamische reactieve vermogenscompensatie en het toepassingssysteem voor pulsvermogen.

Technische specificatie

1. Fasegestuurde thyristor met chip van het legeringstype vervaardigd door RUNAU Electronics, reeks I_TAVvan 350A tot 5580A en V_DRM/V_RRMvan 3400V tot 8500V.
2. I_GT, V_GTen ik_Hzijn de testwaarden bij 25℃, tenzij anders vermeld zijn alle andere parameters de testwaarden onder T_jm;
3. I²t=ik²F SM×tw/2, tw= Sinusvormige halve golf stroombasisbreedte.Bij 50Hz, I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Bij 60 Hz: I_FSM(8.3ms)=Ik_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;I²t(8,3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

Parameter: