Fast Switch Thyristor (hoge standaard YC-serie)

Beschrijving

De GE-productiestandaard en verwerkingstechnologie werd geïntroduceerd en gebruikt door RUNAU Electronics sinds 1980.De volledige fabricage- en testomstandigheden vielen volledig samen met de eisen van de Amerikaanse markt.Als pionier op het gebied van de productie van thyristor in China, had RUNAU Electronics de kunst van staatsvermogenselektronica-apparaten geleverd aan de VS, Europese landen en wereldwijde gebruikers.Het is hoog gekwalificeerd en beoordeeld door de klanten en er zijn meer grote overwinningen en waarde gecreëerd voor partners.

Invoering:

1. Chips

De door RUNAU Electronics vervaardigde thyristorchip is gebaseerd op gesinterde legeringstechnologie.De wafel van silicium en molybdeen werd gesinterd voor legering door zuiver aluminium (99,999%) onder een hoog vacuüm en een omgeving met hoge temperaturen.Het beheer van sinterkarakteristieken is de belangrijkste factor die de kwaliteit van de thyristor beïnvloedt.De knowhow van RUNAU Electronics beheert naast de diepte van de legeringsknooppunten, de vlakheid van het oppervlak, de legeringsholte en de volledige diffusievaardigheid, het ringcirkelpatroon en de speciale poortstructuur.Ook werd de speciale verwerking gebruikt om de levensduur van de drager van het apparaat te verkorten, zodat de recombinatiesnelheid van de interne drager aanzienlijk wordt versneld, de omgekeerde herstellading van het apparaat wordt verminderd en de schakelsnelheid dientengevolge wordt verbeterd.Dergelijke metingen werden toegepast om de snelle schakelkarakteristieken, on-state-karakteristieken en piekstroomeigenschap te optimaliseren.De prestaties en geleiding van de thyristor zijn betrouwbaar en efficiënt.

2. Inkapseling

Door de vlakheid en parallelliteit van molybdeenwafel en extern pakket strikt te controleren, zullen de chip en molybdeenwafel stevig en volledig worden geïntegreerd met het externe pakket.Dit zal de weerstand van stootstroom en hoge kortsluitstroom optimaliseren.En de meting van elektronenverdampingstechnologie werd gebruikt om een ​​dikke aluminiumfilm op het oppervlak van de siliciumwafel te creëren, en de rutheniumlaag die op het molybdeenoppervlak is geplateerd, zal de weerstand tegen thermische vermoeidheid aanzienlijk verbeteren, de levensduur van de thyristor met snelle schakelaar zal aanzienlijk worden verlengd.

Technische specificatie

1. Snel schakelende thyristor met chip van het legeringstype vervaardigd door RUNAU Electronics die in staat is om de volledig gekwalificeerde producten van de Amerikaanse norm te leveren.
2. I_GT, V_GTen ik_Hzijn de testwaarden bij 25℃, tenzij anders vermeld zijn alle andere parameters de testwaarden onder T_jm;
3. I²t=ik²F SM×tw/2, tw= Sinusvormige halve golf stroombasisbreedte.Bij 50Hz, I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Bij 60 Hz: I_FSM(8.3ms)=Ik_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;I²t(8,3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

Parameter: