Phase Control Thyristor (legeringstype)

Beschrijving:

Thyristor, ook bekend als Silicon Control Rectifier (SCR), is een hoogvermogen halfgeleiderapparaat dat bestaat uit drie PN-structuren.In termen van prestaties heeft de thyristor niet alleen unidirectionele geleidbaarheid, maar heeft hij ook een waardevollere bestuurbaarheid dan het siliciumgelijkrichterelement, dat slechts twee geleidingstoestanden en uit-toestand heeft, om groot vermogen te regelen met klein vermogen, vermogensversterking tot honderden of duizenden keren.De reactie is erg snel, in- en uitschakelen in microseconden.Contactloze werking, geen vonken, geen geluid, terwijl hoge efficiëntie en lage kosten.Daarom wordt thyristor, vooral in een systeem met een hoog vermogen, veel gebruikt in gelijkrichtercircuits, statische bypass-schakelaars, contactloze uitgangsschakelaars en andere circuits.

De thyristorproductiestandaard en verwerkingstechnologie van RUNAU Electronics werd sinds 1980 vanuit de VS geïntroduceerd. Als pionier op het gebied van de productie van thyristors in China had het technische team van RUNAU al meer dan 30 jaar de allernieuwste kennis en ruime productie-ervaring opgedaan.Op basis van het traditionele fabricageproces hadden de talenttechnici van RUNAU Electronics de art-of-state-technologie ontwikkeld bij het vervaardigen van thyristor met voordeelkenmerken van Europese producten, de kwaliteit en prestaties zijn aanzienlijk verbeterd, meer grote overwinningen behaald bij de toepassing van vermogenselektronica velden, en er werd meer waarde gecreëerd voor partners.

Invoering:

1. Chips

De door RUNAU Electronics vervaardigde thyristorchip is gebaseerd op gesinterde legeringstechnologie.De wafel van silicium en molybdeen werd gesinterd voor legering door zuiver aluminium (99,999%) onder een hoog vacuüm en een omgeving met hoge temperaturen.Het beheer van sinterkarakteristieken is de belangrijkste factor die de kwaliteit van de thyristor beïnvloedt.De knowhow van RUNAU Electronics, naast het beheer van de legeringsverbindingsdiepte, vlakheid van het oppervlak, legeringsholte en volledige diffusievaardigheid, centrale poort, ringcirkelpatroon werden toegepast om de betrouwbare en zeer efficiënte geleidingswerking van thyristor mogelijk te maken, om zorgen voor de hoogwaardige prestaties.

2. Inkapseling

Door de vlakheid en parallelliteit van molybdeenwafel en extern pakket strikt te controleren, zullen de chip en molybdeenwafel stevig en volledig worden geïntegreerd met het externe pakket.Dit zal de weerstand van stootstroom en hoge kortsluitstroom optimaliseren.En de meting van elektronenverdampingstechnologie werd gebruikt om een ​​dikke aluminiumfilm op het oppervlak van de siliciumwafel te creëren, en de rutheniumlaag die op het molybdeenoppervlak is geplateerd, zal de weerstand tegen thermische vermoeidheid aanzienlijk verbeteren, de levensduur van de thyristor zal aanzienlijk worden verlengd.

Technische specificatie

1. Fasegestuurde thyristor met chip van het legeringstype vervaardigd door RUNAU Electronics, reeks I_TAVvan 300A tot 6000A en V_DRM/V_RRMvan 800V tot 4400V.
2. I_GT, V_GTen ik_Hzijn de testwaarden bij 25℃, tenzij anders vermeld zijn alle andere parameters de testwaarden onder T_jm;
3. I²t=ik²F SM×tw/2, tw= Sinusvormige halve golf stroombasisbreedte.Bij 50Hz, I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Bij 60 Hz: I_FSM(8.3ms)=Ik_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;I²t(8,3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

Parameter: