Snel schakelende thyristor

Beschrijving:

Snel schakelende thyristor, met dezelfde structuur en hetzelfde symbool van fasebesturingsthyristor, terwijl de betere statische kenmerken, met name dynamische kenmerken vereist zijn door de hoogfrequente toepassing van rectificatie, hakken, inverter en frequentieomzettingscircuit.De dynamische parameters van de snelle thyristor zijn hoge inschakelsnelheid en inschakeluitbreidingssnelheid, minder omgekeerde herstellading en korte uitschakeltijd, hoge kritische stijgsnelheid van aan-statusstroom (di / dt) en kritische snelheid van stijging van de off-state spanning (dv/dt).De nominale stroom van de snelle thyristor binnen de nominale frequentie neemt niet af of neemt iets af bij toenemende frequentie.

De snel schakelende thyristorproductiestandaard en verwerkingstechnologie van RUNAU Electronics werd sinds 1980 vanuit de VS geïntroduceerd. Als pionier op het gebied van de productie van thyristors in China had het technische team van RUNAU al meer dan 30 jaar de allernieuwste kennis en ruime productie-ervaring opgedaan.Op basis van het traditionele productieproces hadden de talenttechnici van RUNAU Electronics de art-of-state-technologie ontwikkeld voor de productie van thyristor met voordeelkenmerken van Europese producten, de kwaliteit en prestaties zijn aanzienlijk verbeterd, meer grote overwinningen behaald in de toepassingen van vermogenselektronica, en er werd meer waarde gecreëerd voor partners.

Invoering:

1. Chips

De door RUNAU Electronics vervaardigde thyristorchip is gebaseerd op gesinterde legeringstechnologie.De wafel van silicium en molybdeen werd gesinterd voor legering door zuiver aluminium (99,999%) onder een hoog vacuüm en een omgeving met hoge temperaturen.Het beheer van sinterkarakteristieken is de belangrijkste factor die de kwaliteit van de thyristor beïnvloedt.De knowhow van RUNAU Electronics beheert naast de diepte van de legeringsknooppunten, de vlakheid van het oppervlak, de legeringsholte en de volledige diffusievaardigheid, het ringcirkelpatroon en de speciale poortstructuur.Ook werd de speciale verwerking gebruikt om de levensduur van de drager van het apparaat te verkorten, zodat de recombinatiesnelheid van de interne drager aanzienlijk wordt versneld, de omgekeerde herstellading van het apparaat wordt verminderd en de schakelsnelheid dientengevolge wordt verbeterd.Dergelijke metingen werden toegepast om de snelle schakelkarakteristieken, on-state-karakteristieken en piekstroomeigenschap te optimaliseren.De prestaties en geleiding van de thyristor zijn betrouwbaar en efficiënt.

2. Inkapseling

Door de vlakheid en parallelliteit van molybdeenwafel en extern pakket strikt te controleren, zullen de chip en molybdeenwafel stevig en volledig worden geïntegreerd met het externe pakket.Dit zal de weerstand van stootstroom en hoge kortsluitstroom optimaliseren.En de meting van elektronenverdampingstechnologie werd gebruikt om een ​​dikke aluminiumfilm op het oppervlak van de siliciumwafel te creëren, en de rutheniumlaag die op het molybdeenoppervlak is geplateerd, zal de weerstand tegen thermische vermoeidheid aanzienlijk verbeteren, de levensduur van de thyristor met snelle schakelaar zal aanzienlijk worden verlengd.

Technische specificatie

1. Snel schakelende thyristor met chip van het legeringstype vervaardigd door RUNAU Electronics, reeks I_TAVvan 200A tot 4000A en V_DRM/V_RRMvan 1200V tot 4500V.
2. I_GT, V_GTen ik_Hzijn de testwaarden bij 25℃, tenzij anders vermeld zijn alle andere parameters de testwaarden onder T_jm;
3. I²t=ik²F SM×tw/2, tw= Sinusvormige halve golf stroombasisbreedte.Bij 50Hz, I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Bij 60 Hz: I_FSM(8.3ms)=Ik_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;I²t(8,3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

Parameter: