PRODUCTIE STANDAARD VAN DE ZW-SERIE LASSDIODE
De normatieve referenties die door Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co werden toegepast bij de productie van lasdioden waren als volgt:
1. GB/T 4023—1997 Discrete apparaten van halfgeleiderapparaten en geïntegreerde schakelingen Deel 2: Gelijkrichterdiodes
2. GB / T 4937-1995 Mechanische en klimatologische testmethoden voor halfgeleiderapparaten
3. JB/T 2423—1999 Power Semiconductor Devices - Modelleringsmethode
4. JB/T 4277—1996 Power Semiconductor Device-verpakking
5. JB/T 7624—1994 Testmethode gelijkrichterdiode
model en maat
1. Modelnaam: het model van de lasdiode verwijst naar de voorschriften van JB/T 2423-1999 en de betekenis van elk onderdeel van het model wordt weergegeven in figuur 1 hieronder:
2. Grafische symbolen en terminal(sub)identificatie
Grafische symbolen en terminalidentificatie worden getoond in figuur 2, de pijl wijst naar de kathodeterminal.
3. Vorm en inbouwmaten
De vorm van de gelaste diode is convex en schijftype en de vorm met maat moet voldoen aan de vereisten van figuur 3 en tabel 1.
| Item | Afmeting (mm) | ||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000/ZW18000 | |
| Kathodeflens (Dmax) | 61 | 76 | 102 |
| Kathode en anode Mesa(D1) | 44 ± 0,2 | 57 ± 0,2 | 68 ± 0,2 |
| Maximale diameter van keramische ring(D2maximaal) | 55,5 | 71,5 | 90 |
| Totale dikte (A) | 8 ± 1 | 8 ± 1 | 13±2 |
| Bevestigingspositie gat | Diameter van het gat: φ3,5 ± 0,2 mm, diepte van het gat: 1,5 ± 0,3 mm | ||
| Opmerking: raadpleeg gedetailleerde afmetingen en afmetingen | |||
Beoordelingen en kenmerken
1. Parameterniveau
De reeks omgekeerde repetitieve piekspanning (VRRM) is zoals gespecificeerd in tabel 2
Tabel 2 Spanningsniveau
| VRRM(V) | 200 | 400 |
| Niveau | 02 | 04 |
2. Grenswaarden
Grenswaarden moeten voldoen aan tabel 3 en gelden voor het gehele bedrijfstemperatuurbereik.
Tabel 3 Grenswaarde
| Grenswaarde | Symbool | Eenheid | Waarde | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Kast temperatuur | Tgeval | ℃ | -40~85 | |||
| Equivalente junctietemperatuur (max) | T(vj) | ℃ | 170 | |||
| Bewaar temperatuur | Tstg | ℃ | -40~170 | |||
| Herhaalde pieksperspanning (max) | VRRM | V | 200/400 | 200/400 | 200/400 | 200/400 |
| Omgekeerde niet-repetitieve piekspanning (max | VRSM | V | 300/450 | 300/450 | 300/450 | 300/450 |
| Vooruit gemiddelde stroom (max) | IF（AV） | A | 7100 | 12000 | 16000 | 18000 |
| Voorwaartse (niet-repetitieve) stootstroom (max) | IFSM | A | 55000 | 85000 | 120000 | 135000 |
| I²t (max) | I²t | kA²s | 15100 | 36100 | 72000 | 91000 |
| Montage kracht | F | kN | 22~24 | 30~35 | 45~50 | 52~57 |
3. Karakteristieke waarden
Tabel 4 Max karakteristieke waarden
| Karakter en conditie | Symbool | Eenheid | Waarde | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Voorwaartse piekspanningIFM=5000A, Tj=25℃ | VFM | V | 1.1 | 1.08 | 1.06 | 1.05 |
| Omgekeerde repetitieve piekstroomTj=25℃, Tj=170℃ | IRRM | mA | 50 | 60 | 60 | 80 |
| Thermische weerstand Junction-to-case | Rjc | ℃/W | 0.01 | 0,006 | 0,004 | 0,004 |
| Opmerking: raadpleeg voor speciale vereisten | ||||||
Delasdiodegeproduceerd door Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor wordt veel toegepast in weerstandslassers, midden- en hoogfrequente lasmachines tot 2000 Hz of hoger.Met een ultra-lage voorwaartse piekspanning, ultra-lage thermische weerstand, ultramoderne fabricagetechnologie, uitstekend vervangingsvermogen en stabiele prestaties voor wereldwijde gebruikers, is de lasdiode van Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor een van de meest betrouwbare apparaten van China. halfgeleider producten.